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Counterpoint Research最新数据表明，三星电子第三季度重新夺回了全球存储芯片市场第一的位置。
根据行业追踪机构Counterpoint Research编制的数据，三星包括动态随机存取存储器（DRAM）和NAND闪存在内的存储芯片的总销售额在第三季度达到194亿美元，环比增长25%，位列第一。
SK海力士第三季度的销售额为175亿美元，同比增长13%。
Counterpoint Research认为，三星电子第三季度的业绩得益于DRAM和NAND闪存的需求强劲。
三星电子近日公布了其2025年第三季度的初步业绩数据，数据显示，三星电子当季合并销售额预计达到85万亿至87万亿韩元，较去年同期增长超过7.4%。同时，合并营业利润也大幅攀升，预计在12万亿至12.2万亿韩元之间，同比增长率超过30.7%，这一数字创下了近年来的新高。
该机构还预测，凭借新一代高带宽存储器（HBM），明年三星电子将迎来全面复苏。Counterpoint还表示，三星电子在今年第四季度也有可能保持全球存储芯片市场第一的位置。
据韩媒报道，三星电子正考虑解散致力于提升其 10纳米级第六代（1c）DRAM良率的特别工作组，转而全力冲刺 HBM4量产，以期在与 SK海力士的竞争中占据有利地位。这一策略调整，也预示着 HBM市场竞争格局的进一步演变。
10nm级DRAM制程技术的发展顺序为：1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）、1a（第四代）、1b（第五代）。随着第六代（1c）制程的推进，线宽进一步变窄，制程难度呈指数级增长，容量和性能也随之提升。
业内猜测，三星电子此举的核心在于加速进入英伟达的 HBM4供应链。为了抢占市场份额，即使 1cDRAM良率未能达到预期，三星仍计划优先量产 HBM4。据悉，目前用于 HBM4的 1c DRAM在冷测试中良率未能达到50%，距离量产所需的60%仍有差距。而 SK海力士已于今年9月率先建立 HBM4量产系统，并采用 1b DRAM作为其 HBM4核心芯片。三星电子的这一决策，无疑是一场豪赌，能否在良率受限的情况下，凭借更优异的 HBM4性能，改变 SK海力士占据主导地位的市场格局，将是关键。
与此同时，三星电子在 HBM4E技术方面也展现出强劲的竞争力。在 OCP 2025全球峰会上，三星电子公布了正在开发的 HBM4E的目标带宽，计划于2027年实现超过3TB/s。该目标带宽是当前 HBM3E的2.5倍，并计划将每针速度提升至每秒13Gbps以上。这一技术突破，无疑将加剧下一代 HBM的速度竞争。值得注意的是，英伟达对 HBM4的带宽提出了更高要求，促使三星电子将 HBM4的针脚速度提升至11Gbps，这也在一定程度上加速了 HBM4E的研发进程。
本月初三星电子还与知名科技公司OpenAI签署了合作意向书。根据协议，三星电子将成为OpenAI的战略存储合作伙伴，为OpenAI的全球“星门计划”提供关键的半导体解决方案。据悉，OpenAI对存储芯片的需求量巨大，预计每月将需要高达90万片的DRAM（动态随机存取存储器）晶圆，三星电子将承担起满足这一需求的重要任务。
美光科技近期宣布已开始送样下一代HBM4内存，其带宽突破2.8TB/s，引脚速度超过11Gbps，大幅超越JEDEC官方标准。该公司CEO桑杰·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）表示，该12层堆叠产品采用1-gamma DRAM及自研CMOS晶圆封装技术，具备行业领先的能效表现。美光预计，今年HBM业务收入将超80亿美元，并希望通过与台积电合作开发的定制逻辑晶圆技术获取更高利润。2026年第一季度，公司营收将达125亿美元。
SK海力士作为HBM领域龙头，早于今年3月便已向英伟达等客户送样12层HBM4产品，采用台积电12nm逻辑晶圆工艺，数据处理速度超2TB/s，并于9月启动量产准备。不仅如此，该公司还计划为英伟达、博通和AMD等客户提供定制化HBM4E产品。三星电子同样在今年9月向客户送样运行速度达11Gbps的HBM4产品，并力争年内启动量产。
因此，接下来的存储市场，或许即将开启新一轮竞赛。
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